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      2020/5/12

      村田制作所已将具有溫度補償U2J特性的汽車用金屬端子型多層陶瓷電容器KCM系列和用于一般用途的金屬端子型多層陶瓷電容器KRM系列商品化。我們的主要目标是将其用于車載設備和工業設備的IGBT緩沖電路等。該産品于2020年5月開始批量生産。

      緩沖電路是一種在開關過程中防止産生尖峰高電壓并保護IGBT等使用開關裝置的電源設備的電路。組成該緩沖電路的電容器用于吸收由變壓器和配線等的電感産生的浪湧電壓,并保護開關元件和外圍零件。在車載設備和工業設備中,由于高功能化所導緻的内置模塊小型化和越來越廣泛地采用具有出色的耐熱性的SiC,導緻對所使用的電子元器件也提出了小型化和高溫兼容性的要求。該産品是金屬端子型多層陶瓷電容器,與高介電常數型陶瓷材料相比,它使用損耗低、自發熱小、靜電電容變化小的溫度補償陶瓷材料,最适合用于實現在開關過程中有大電流流過的緩沖電路零件的小型化和高溫兼容性。此外,我們還在産品陣容中增加了C0G特性中沒有的1250V額定産品,以滿足更大範圍的需求。


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      用于汽車
      一般用途
      部件号(示例)
      KCM55T7U3A203KDL1#
      KRM55T7U3A203KDL1#
      形狀

      L尺寸
      6.1 ±0.4 mm
      W尺寸
      5.1 ±0.3 mm
      T尺寸
      4.8 ±0.4 mm
      金屬端子寬度e
      0.9 ±0.2 mm

      産品陣容

      ・用于汽車
      • 工作溫度範圍 : -55 ~ +125℃
      • 額定電壓 : 630Vdc ~ 1000Vdc
      • 靜電容量 : 8.2 ~ 94nF
      • 溫度特性 : U2J 特性

      ・一般用途
      • 工作溫度範圍 : -55 ~ +125℃
      • 額定電壓 : 630Vdc ~ 1250Vdc
      • 靜電容量 : 8.2 ~ 94nF
      • 溫度特性 : U2J 特性

      點擊此處閱覽産品詳情。
      用于高耐壓、大電流緩沖電路的金屬端子型多層陶瓷電容器(汽車用途)
      用于高耐壓、大電流緩沖電路的金屬端子型多層陶瓷電容器(一般用途)


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      IGBT
       :  Insulated Gate Bipolar Transistor。一種支持高耐壓和大電流的功率半導體設備。
      SiC
       :  碳化矽(Silicon Carbide)。具有出色的耐熱性,并用作功率設備的半導體材料。

      關于村田制作所

      村田制作所是一家全球性的綜合電子元器件制造商,主要從事以陶瓷為基礎的電子元器件的開發、生産和銷售業務。緻力于通過自身開發積累的材料開發、工藝開發、商品設計、生産技術以及對它們提供支持的軟件和分析評估等技術基礎,創造獨特産品,為電子社會的發展做出貢獻。 詳情請單擊此處鍊接 www.murata.com/zh-cn/
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